瀏覽器自帶分享功能也很好用哦~LPCVD用于淀積Poly-Si、SIPOS、SiO2(LTOTEOS)、P*Poly-Si、N*Poly-Si、SiN(LSSiN)、PSG、BSG、BPSG等多種薄膜。廣泛應用于半導體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業的生產工藝中。
設備主要特點
◎ 采用先進的閉環控制系統，壓力穩定無波動
◎ 高精度溫控系統
◎ 工藝薄膜均勻性優異
★支持SECS/GEM通訊
主要技術指標
◎ 適用硅片尺寸:4~6"
◎ 工作溫度范圍:350℃~800℃
◎ 恒溫長度:300-1100mm(可定制)
◎ 系統極限真空度: 10mtorr
◎ 工作壓力范圍:100~400mtorr可調
工藝類型
◎ Poly
◎ D-Poly(P+/N+)
◎SIPOS
◎BPSG
◎ SiO2 (LTO TEOS )
◎ 工藝均勻性:
◎SiN(LSSiN)
片內≤±2% 片間≤±2% 批間≤±2%
LED退火爐
LPCVD用于淀積Poly-Si、SIPOS、SiO2(LTOTEOS)、P*Poly-Si、N*Poly-Si、SiN(LSSiN)、PSG、BSG、BPSG等多種薄膜。廣泛應用于半導體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業的生產工藝中。
設備主要特點
◎ 采用先進的閉環控制系統，壓力穩定無波動
◎ 高精度溫控系統
◎ 工藝薄膜均勻性優異
★支持SECS/GEM通訊
主要技術指標
◎ 適用硅片尺寸:4~6"
◎ 工作溫度范圍:350℃~800℃
◎ 恒溫長度:300-1100mm(可定制)
◎ 系統極限真空度: 10mtorr
◎ 工作壓力范圍:100~400mtorr可調
工藝類型
◎ Poly
◎ D-Poly(P+/N+)
◎SIPOS
◎BPSG
◎ SiO2 (LTO TEOS )
◎ 工藝均勻性:
◎SiN(LSSiN)
片內≤±2% 片間≤±2% 批間≤±2%
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