LPCVD用于淀積Poly-Si、SIPOS、SiO2(LTOTEOS)、P*Poly-Si、N*Poly-Si、SiN(LSSiN)等多種薄膜。廣泛應用于半導體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業的生產工藝中。超大規模集成電路制造設備，工藝時間短，生產效率高，具有出色的工藝性能達到先進水平。

設備主要特點

◎ 采用先進的閉環控制系統，壓力穩定無波動

◎ 高精度溫控系統

◎ 工藝薄膜均勻性優異

◎ 支持SECS/GEM通訊

◎ 溫度控制方式：支持spike，cascade和比例控溫三種控溫模式，自動拉溫區

◎ 400℃～900℃范圍內，最大可控升溫速度＞10℃/min，最大可控降溫速度＜3℃/min，實際升降溫速度與設定值偏差不超過3℃/min

主要技術指標

◎ 適用硅片尺寸:6~8"

◎ 工作壓力范圍:100~400mtorr可調

◎ 系統極限真空度: ≤0.5Pa

◎ 爐壓泄露速率：≤0.1Pa/min

◎ 工作溫度范圍: 200℃~900℃

◎ 單點控溫精度：≤±0.5℃（200℃~900℃）

◎ 恒溫長度:300-1000mm(可定制)

◎溫度穩定性:≤±0.5℃/24h（600℃）

◎恒溫區溫度均勻性:≤±0.5℃@1150℃

◎金屬離子污染：≤5E10 atoms/cm²（Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu）

◎傳送顆粒污染：≤20EA（≥0.3μm）

◎片盒區顆粒污染（靜態）：≤20EA（≥0.3μm）

工藝類型

◎ Poly

◎ D-Poly(P+/N+)

◎ TEOS

◎SIPOS

◎BPSG

◎ SiO2 (LTO TEOS )

◎ Si3N4

工藝均勻性

◎Si3N4、Poly、SiO2（TEOS）

片內≤±2% 片間≤±2% 批次間≤±2%

◎ D-Poly

片內≤±4% 片間≤±4% 批次間≤±4%

◎低應力Si3N4

片內≤±4% 片間≤±3% 批次間≤±3%

工藝其他指標

生長的Poly Si薄膜滿足應力指標：Poly Si：＜500Mpa（200nm）；

生長的SiO2薄膜滿足應力指標：SiO2（TEOS）：＜500Mpa（200nm）；

生長的Si3N4薄膜滿足應力指標：Si3N4：＜200Mpa（200nm）；

TEOS：折射率：1.45±0.1，沉積速率：40～70?/min；階梯覆蓋能力：Aspect Ratio=5:1

Poly：常規Poly方塊電阻（@6000A方阻）950℃退火后10-14Ω/□，沉積速率20～35?/min

D-Poly：（500nm）的方塊電阻25±2Ω/□

工藝氣路配置

◎TEOS管：包含但不限于N2 ，O2，吹掃N2 ，TEOS；并配置TEOS系統1套（包括TEOS源供液系統以及源柜）

◎Poly管：包含但不限于N2 , SiH4,  PH3

◎Si3N4管：包含但不限于N2，NH3，SiH2Cl2

◎LTO管：包含但不限于N2 ，O2，SiH4

產品優勢

◎ 晶片(片/批次)150片

◎ 片盒區片盒儲藏數量≥20個

◎ 晶片高速搬送系統，實現高吞吐量

◎ 精密的熱場控制，氣體控制系統

◎ 工藝周期短，生產效率高

◎ 進出舟過程中掉片率，碎片率≤1/10000，如果遇到阻礙能立即自動停止。

◎ 機臺配置N2 loadlock。在傳片過程中使用N2填充環境，在工藝進行時使用高效空氣過濾環境。

外形尺寸及重量

◎ 外形尺寸(參考):4330mm*900mm*3305 mm(長*寬*高)

◎ 重量:2500Kg