氧化退火爐應用于半導體器件、分立器件、光電子器件、電力電子器件、太陽能電池及大規模集成電路制造等領域對晶片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝，可用于4-8英寸工藝尺寸。

控制系統特點

◎ 工藝曲線的自動運行控制功能

◎ 可存儲多組PID參數供系統運行調用功能

◎ 系統故障自診功能

◎ 停電后斷點繼續運行功能等

◎ 具有自主知識產權的軟件系統,良好的人機界面

◎ 具有多點溫度補償

◎ 具有多種故障報警及各種安全互鎖保護功能

◎ 推拉舟工作過程中掉片率、碎片率≤1/10000，遇到阻礙自動停止

◎ 支持SECS/GEM通訊

◎ 溫度控制方式：三段或五段內外TC雙回路溫度控制

◎ 該系統可根據用戶的特殊要求增減或開發相應的功能

主要技術指標

◎ 晶圓尺寸:4~8英寸

◎ 工藝管數:1~4管/臺

◎ 工作溫度范圍:400℃~1300℃

◎ 恒溫區長度:300~1500mm，恒溫區溫度（1000℃條件下每間隔30mm測試一點 ）偏差≤±0.7℃

◎ 最大載片量（單管）：≥100片

◎單點控溫精度：≤±0.5℃

◎ 溫度穩定性:≤±0.5℃/24h

◎ 升溫時間：≤100min

◎ 最大可控升溫速度:15℃/min

◎ 最大降溫速度:5℃/min

◎ 恒溫區溫度均勻性:≤±1℃

◎金屬離子污染：≤5E10 atoms/cm2（Na、Mg、Al、K、Ca 、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu）

◎傳送顆粒污染：≤10EA（≥0.3μm）

◎工藝顆粒污染：≤20EA（≥0.3μm）

真空系統

◎ 極限真空：＜50Pa

◎ 抽氣時間：＜30min

晶圓工藝指標

干氧厚度均勻性：

◎片內均勻性：≤±2%

◎片間均勻性：≤±2%

◎批次間均勻性：≤±2%

濕氧厚度均勻性：

◎片內均勻性：≤±2%

◎片間均勻性：≤±2%

◎批次間均勻性：≤±2%

工藝氣路配置

◎工藝氣路（退火管）：包括但不限于N2 ，O2，H2，1路保護N2，攜源N2

◎工藝氣路（氧化管）：包括但不限于N2,  H2O, O2，H2；攜源N2，1路保護N2

◎氣路系統氣密性：≤1×10^-9pa.m³/s

◎MFC精度：≤±0.5% FS @ flow range 2%~25%; ≤±1% SP @ flow range 25%~100%

◎管路材質為316 EP級，每一路配置截止閥、調壓閥、單向閥、過濾器

傳動裝置配置

◎傳動裝置采用懸臂槳方式，懸臂槳為帶涂層SiC材質，承重≥16kg